半导体清洗有干法和湿法两种清洗方法，目前湿法由于其成本低产能高的优点占据主流，占整个清洗制程90%以上。湿法清洗由于使用相对多的化学试剂，也存在晶片损伤、化学污染和二次交叉污染等问题，而干法清洗虽然环境友好、化学用量少，随着半导体制程不断升级，干法清洗低磨损的优点日益突出，逐渐得到更
多的关注。不过，目前干法清洗控制要求和成本较高，仍难以大量应用于半导体生产中。因此实际的半导体产线上通常是以湿法清洗为主，少量特定步骤采用干法清洗相结合的方式互补所短，构建半导体制造的清洗方案。
超声清洗方法：
晶片浸没在清洗液中,利用超高频率的声波能量将晶片正面和背面的颗粒有效去除。超声波清洗的优点：清洗的速度快;清洗的效果比较好;能够清洗各种复杂形状的硅片表面;易于实现�？睾妥远�。超声波清洗的缺点：颗粒尺寸较小时,清洗效果不佳;在空穴泡爆破的时候,巨大的能量会对硅片造成一定的损伤；kelisonic
超声波清洗设备广泛应用于半导体前端各阶段清洗；
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